考虑端头效应与屏蔽效应的集中接地装置冲击降阻方法

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过电压与绝缘 | 更新时间：2023-09-09

- 考虑端头效应与屏蔽效应的集中接地装置冲击降阻方法
- Impulse Resistance Reduction Method of Concentration Grounding Devices Considering End Effect and Shield Effect
- 高电压技术 2015年41卷第6期页码：1995-2001
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齐飞, 陈俊武, 刘承胜, 等. 考虑端头效应与屏蔽效应的集中接地装置冲击降阻方法[J]. 高电压技术, 2015,41(6):1995-2001.

QI Fei, CHEN Junwu, LIU Chengsheng, et al. Impulse Resistance Reduction Method of Concentration Grounding Devices Considering End Effect and Shield Effect[J]. 2015,41(6):1995-2001.
齐飞, 陈俊武, 刘承胜, 等. 考虑端头效应与屏蔽效应的集中接地装置冲击降阻方法[J]. 高电压技术, 2015,41(6):1995-2001. DOI：

QI Fei, CHEN Junwu, LIU Chengsheng, et al. Impulse Resistance Reduction Method of Concentration Grounding Devices Considering End Effect and Shield Effect[J]. 2015,41(6):1995-2001. DOI：

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